材質: | シリコン | サイズの許容: | +/-0.1mm |
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小さな溝: | 0.2-0.5mm | 表面品質: | 40/20 |
表面の平坦: | 25.4mmのLambda/4 | 角度許容: | 3つのアーク分 |
標準的なコーティング: | カスタマイズされた | サイズの範囲: | 5-200mm |
使用法: | Infaredシステム | 抵抗: | 5-40オーム |
ハイライト: | optical wedge prism,right angle prism |
ケイ素(Si)は約6µmにNIR (1µm)で使用のために利用できる最も堅い鉱物および光学材料の1つです。光学質のケイ素は通常(5伝達waveband内の吸収バンドを防ぐためにから40オームcm)添加されます。ケイ素にゲルマニウムより低いr.i.があり、より少なく重い光学設計のために作る低密度があります。
ケイ素は3から5µm (MWIR)のwavebandの窓と光フィルタのための基質として使用にとって理想的です。このwaveband (3に5µm)は狙撃銃および乳鉢の部分のような銃からの砲口炎のような700Kの完全放射体温度で、射出する源の検出のために重要です。あらゆる部品は私達の最新式の度量衡学の実験室の私達の熟練した技術者によってそれぞれ全部品の大会に私達の良質の標準を保障するためにテストされます。その伝達は伝達を改良するように増透膜は要求されることを1から6µmの内のそして意味する50µmの上の約50%です。
材料 | ケイ素 |
ARのコーティングの範囲 | 3-5um |
反射率 ARのコーティングの範囲@ 0° AOI |
Ravg < 1=""> |
伝達 ARのコーティングの範囲@ 0° AOI |
Tavg > 97%、3-5um |
直径の許容 | +0.0/-0.1 mm |
厚さの許容 | ±0.1 mm |
表面質 | 60-40傷発掘 |
表面の平坦 (Planoの側面) |
633nmのλ/2 |
表面の不規則性 (谷へのピーク) |
633nmのλ/2 |
角度許容 | 3 arcmin (顧客の要求に従う5秒) |
設計波長 | 10.6のμm |
化学式 | Si |
分子量 | 28.09 |
晶族 | 立方 |
格子定数、Å | 5.43 |
密度、293 Kのg/cm3 | 2.329 |
9.37 x 10の9つのHzのための比誘電率 | 13 |
融点、K | 1690 |
熱伝導性、と(m K) | |
125 K | 598.6 |
313 K | 163 |
400 K | 105.1 |
熱拡張、1/K | |
75 K | -0.5 x 10-6 |
293 K | 2.6 x 10-6 |
1400のK | 4.6 x 10-6 |
比熱、cal/(K) g | |
298 K | 0.18 |
1800のK | 0.253 |
Debyeの温度、K | 640 |
BandgapのeV | 1.1 |
水の容解性 | どれも |
Knoopの硬度、kg/mm2 | 1100 |
Mohsの硬度 | 7 |
ヤングの係数、GPa | 130.91 |
せん断の係数、GPa | 79.92 |
バルク係数、GPa | 101.97 |
ポアソンの比率 | 0.28 |